МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
/
Звіт про виконання
лабораторної роботи №3
з курсу:
„ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інфориації, ч.1”
на тему:
„ ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ P-N ПЕРЕХОДІВ ”
МЕТА РОБОТИ
Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів і дослідити їх вольт-амперні характеристики.
ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ
Синтезувати схему, рис.1, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику діода D1- 1N4001 .
Рисунок 1. Схема ввімкнення діода для дослідження ВАХ.
/
Рисунок 2. Пряма ділянка ВАХ діода D1- 1N4001.
/
Рисунок 3. Зворотна ділянка ВАХ діода D1- 1N4001.
/
Рисунок 4.Температурна залежність на прямій ділянці ВАХ діода D1- 1N4001.
Синтезувати схему, рис.3, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику транзистора Q1 – BC107A в діодному включенні.
Рисунок 5. Схема діодного ввімкнення транзистора для дослідження ВАХ.
/
Рисунок 6. Пряма ділянка ВАХ транзистора Q1 – BC107A.
/
Рисунок 7. Зворотна ділянка ВАХ транзистора Q1 – BC107A.
Моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА. Зняти вольт-амперну характеристику стабіліторна D1 – 10BQ015_IR.
Рисунок 8. Схема ввімкнення стабілітрона для дослідження ВАХ.
/
Рисунок 9. ВАХ стабілітрона.
Синтезувати схему, рис.7, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело сінусоїдальної напруги Е1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=31.4 . Зняти часові характеристики діода D1 – 1N4009 : V(1)=f(T), V(2)=f(T), I(R1)=f(T). Використовуючи часові характеристики пояснити випрямляючі властивості діода.
Рисунок 10. Схема ввімкнення діода для дослідження часових характеристик.
/
Рисунок 11. Часові характеристики діода D1 – 1N4009.
Синтезувати схему, рис.9, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3) . Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1. За допомогою ВАХ визначити напругу включення та струм утримання тиристора.
Рисунок 12. Схема діодного включення тиристора для дослідження ВАХ .
/
Рисунок 13. ВАХ тиристора при діодному включенні.
Синтезувати схему, рис.9, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3), а також J2=250мА . Зняти часові характеристики тиристора: V(1)=f(T), V(2)=f(T). Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1.
Рисунок 14. Схема включення тиристора керованого катодом для дослідження, часових характеристик та ВАХ .
/
Рисунок 15. Часові характеристики та ВАХ тиристора керованого катодом.
Використовуючи файл diac1.cir з системи Micro-Cap8(MC8), рис.11, отримати схему включення симістра. Зняти вольт-амперну характеристику симістора.
Рисунок 16. Схема включення симістора для дослідження ВАХ .
Рисунок 17. ВАХ симістора.
Висновок:
Діод у колі електричного струму поводить себе, як нелінійний елемент, що видно з його ВАХ, при ввімкненні в коло синусоїдного струму діод проявлятиме випрямляючі властивості і обрізатиме нижню половину сінусоїди, що викликається особливостями роботи діода та прямим включенням, оскільки при зворотньому він буде закритий,, транзистор у діодному включенні проявляє тіж самі властивості, що і діод, з допомогою ВАХ тиристора переконалися, що він може працювати в таикх режимах: перший стан характеризується малим струмом, що протікає через прилад, і великим спаданням напруги на ньому, а другий відповідає малому сп...
